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ISL6612BECBZ

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  • 제품 모델
    ISL6612BECBZ
  • 제조업체 / 브랜드
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ISL6612BECBZ.pdf
  • 전압 - 공급
    7 V ~ 13.2 V
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC-EP
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    26ns, 18ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 작동 온도
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • 입력 주파수
    2
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 논리 전압 - VIL, VIH
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    36V
  • 게이트 유형
    N-Channel MOSFET
  • 구동 구성
    Half-Bridge
  • 상세 설명
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
    1.25A, 2A
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Synchronous
  • 기본 부품 번호
    ISL6612B

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제조업체: Intersil
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ISL6612BCBZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612BEIBZ

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612BCBZ

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기술: IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC

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ISL6612BCB

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612BCR

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612BIBZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612BIB

ISL6612BIB

기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612BEIB

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612BEIBZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612BCB-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612BEIB-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612BCRZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612BECB-T

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ISL6612BECBZ-T

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ISL6612BIBZ

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