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BR25A512FVT-3MGE2

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제품 모델

BR25A512FVT-3MGE2
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

105&DEG;C OPERATION SPI BUS EEPR
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.BR25A512FVT-3MGE2.pdf
2.BR25A512FVT-3MGE2.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

5ms
전압 - 공급

2.5 V ~ 5.5 V
과학 기술

EEPROM
제조업체 장치 패키지

8-TSSOP-B
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
다른 이름들

BR25A512FVT-3MGE2TR
작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스

SPI
메모리 형식

EEPROM
제조업체 표준 리드 타임

9 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 10MHz 8-TSSOP-B
클럭 주파수

10MHz

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기술: IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOP

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기술: 105&DEG;C OPERATION SPI BUS EEPR

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기술: SPI BUS EEPROM

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기술: IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOPJ

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