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BR25G640NUX-3TR

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  • 제품 모델
    BR25G640NUX-3TR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC EEPROM 64K SPI VSON008X2030
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BR25G640NUX-3TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    5ms
  • 전압 - 공급
    1.6 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    EEPROM
  • 제조업체 장치 패키지
    VSON008X2030
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-UFDFN Exposed Pad
  • 다른 이름들
    BR25G640NUX-3TRTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    EEPROM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    EEPROM Memory IC 64Kb (8K x 8) SPI 20MHz VSON008X2030
  • 클럭 주파수
    20MHz

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BR25H020FVM-2CTR

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BR25G640FVT-3GE2

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BR25H010FJ-WCE2

BR25H010FJ-WCE2

기술: IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8SOPJ

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFQ
BR25H020F-2CE2

BR25H020F-2CE2

기술: IC EEPROM 2K SPI 10MHZ 8SOP

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BR25G512FJ-3GE2

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BR25H010FVT-2CE2

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BR25G320NUX-3TR

BR25G320NUX-3TR

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BR25H010F-2LBH2

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BR25G320FJ-3GE2

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BR25G320FVT-3GE2

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BR25G640F-3GE2

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