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LAPIS Semiconductor

DTA114YUAT106

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온라인 문의

규격

제품 모델

DTA114YUAT106
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.DTA114YUAT106.pdf
2.DTA114YUAT106.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지

UMT3
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

47 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

10 kOhms
전력 - 최대

200mW
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323
다른 이름들

DTA114YUAT106CT
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

68 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA
기본 부품 번호

DTA114

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