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LAPIS Semiconductor

DTC015EEBTL

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150000+

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온라인 문의

규격

제품 모델

DTC015EEBTL
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.DTC015EEBTL.pdf
2.DTC015EEBTL.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

100mV @ 500µA, 5mA
트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지

EMT3F (SOT-416FL)
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

100 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

100 kOhms
전력 - 최대

150mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490
다른 이름들

DTC015EEBTLTR
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

40 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

20mA

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기술: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

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기술: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89

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