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LAPIS Semiconductor

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규격

제품 모델

DTD143ECT216
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DTD143ECT216.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 2.5mA, 50mA
트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지

SST3
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

4.7 kOhms
전력 - 최대

200mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

200MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

47 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

500mA
기본 부품 번호

DTD143

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기술: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD143ECHZGT116

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DTD513ZETL

기술: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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