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DTD723YETL

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  • 제품 모델
    DTD723YETL
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DTD723YETL.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    30V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    EMT3
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    10 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    2.2 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-75, SOT-416
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    260MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    140 @ 100mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    200mA
  • 기본 부품 번호
    DTD723

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