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5215613EMA2T2R 이미지LAPIS Semiconductor

EMA2T2R

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  • 제품 모델
    EMA2T2R
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.EMA2T2R.pdf
    2.EMA2T2R.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    EMT5
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    47 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • 다른 이름들
    EMA2T2R-ND
    EMA2T2RTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    68 @ 5mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MA2

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EMA28DTMT

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EMA28DTMD

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EMA30DRMI-S288

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EMA28DTMH

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EMA30DRMD-S288

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EMA28DTMS

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EMA30DRMD-S273

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