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EMB4T2R

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  • 제품 모델
    EMB4T2R
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.EMB4T2R.pdf
    2.EMB4T2R.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 1mA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    EMT6
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    -
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    EMB4T2R-ND
    EMB4T2RTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 1mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    -
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MB4

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EMB6T2R

EMB6T2R

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EMB4432BBBBJ-DV-F-D

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기술: SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG

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EMB61T2R

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
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EMB1428QSQE/NOPB

EMB1428QSQE/NOPB

기술: IC GATE DRIVER 48WQFN

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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EMB3T2R

EMB3T2R

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMB8164B4PR-DV-F-D

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EMB1499QMHX/NOPB

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제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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EMB1499QMHE/NOPB

EMB1499QMHE/NOPB

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제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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EMB8132B4PM-DV-F-D

EMB8132B4PM-DV-F-D

기술: IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB

제조업체: Micron Technology
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EMB1499QMH/NOPB

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기술: BIDIRECTIONAL CURRENT DC-DC CONT

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
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EMB8164B4PT-DV-F-D

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기술: SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG

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EMB9T2R

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EMBA232B2PB-DV-F-D

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기술: SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 TFBG

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EMB1428QSQX/NOPB

EMB1428QSQX/NOPB

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