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4193936IMB4AT110 이미지LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

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규격
  • 제품 모델
    IMB4AT110
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IMB4AT110.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 1mA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SMT6
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    -
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SC-74, SOT-457
  • 다른 이름들
    IMB4AT110CT
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 1mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    -
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA
  • 기본 부품 번호
    MB4

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IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

기술: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

기술: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

기술: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

기술: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

기술: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

기술: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

기술: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

기술: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

기술: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

기술: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

제조업체: Crouzet
유품
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

기술: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IMBD4448-E3-08

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기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

기술: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

제조업체: Crouzet
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RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

기술: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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