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LAPIS Semiconductor

IMH11AT110

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규격

제품 모델

IMH11AT110
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.IMH11AT110.pdf
2.IMH11AT110.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지

SMT6
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

10 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

10 kOhms
전력 - 최대

300mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457
다른 이름들

IMH11AT110TR
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

30 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA
기본 부품 번호

*MH11

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