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3626623MP6M12TCR 이미지LAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

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규격
  • 제품 모델
    MP6M12TCR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MP6M12TCR.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • 제조업체 장치 패키지
    MPT6
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 - 최대
    2W
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    6-SMD, Flat Leads
  • 다른 이름들
    MP6M12TCRDKR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    250pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • FET 유형
    N and P-Channel
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5A
  • 기본 부품 번호
    *M12

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다음은 "MP6M12TCR"관련 제품입니다.
MP6Z13TR

MP6Z13TR

기술: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

기술: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

기술: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

기술: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE91A

MP6KE91A

기술: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

기술: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

기술: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

기술: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

기술: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6M14TCR

MP6M14TCR

기술: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

기술: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

기술: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE82A

MP6KE82A

기술: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

기술: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

기술: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MP6M11TCR

MP6M11TCR

기술: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
MP6KE91CA

MP6KE91CA

기술: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
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