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1641672R6009ENJTL 이미지LAPIS Semiconductor

R6009ENJTL

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유품
1+
$3.05
10+
$2.753
100+
$2.212
500+
$1.72
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    R6009ENJTL
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.R6009ENJTL.pdf
    2.R6009ENJTL.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    LPTS (D2PAK)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    40W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    R6009ENJTLCT
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    17 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    430pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9A (Tc)

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R6007KNJTL

R6007KNJTL

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6008-00

R6008-00

기술: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

제조업체: Harwin
유품
RFQ
R60100-1STR

R60100-1STR

기술: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

기술: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

기술: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

기술: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

기술: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

기술: GASKET

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

기술: GASKET

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

기술: GASKET

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
RFQ
R6009-00

R6009-00

기술: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

제조업체: Harwin
유품
RFQ
R6010-00

R6010-00

기술: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

제조업체: Harwin
유품
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
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