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2710152R6015KNZC8 이미지LAPIS Semiconductor

R6015KNZC8

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유품
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10+
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100+
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500+
$1.99
1000+
$1.649
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규격
  • 제품 모델
    R6015KNZC8
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6015KNZC8.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3PF
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    60W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3 Full Pack
  • 다른 이름들
    R6015KNZC8TR
    R6015KNZC8TR-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    27.5nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Isolated)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    15A (Tc)

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R60200-3CR

R60200-3CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

기술: NCH 600V 15A POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6020225HSYA

R6020225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

기술: NCH 600V 15A POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
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