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RDN050N20FU6

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  • 제품 모델
    RDN050N20FU6
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FN
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    720 mOhm @ 2.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    30W (Tc)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    292pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    200V
  • 상세 설명
    N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5A (Ta)
NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

기술: MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG

기술: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RDN120N25

RDN120N25

기술: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
NTMFS4925NET1G

NTMFS4925NET1G

기술: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SPD08N50C3BTMA1

SPD08N50C3BTMA1

기술: MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

기술: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

기술: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
IRLL3303TRPBF

IRLL3303TRPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FQB3N90TM

FQB3N90TM

기술: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

기술: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

기술: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
STP28N60M2

STP28N60M2

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
유품
RDN100N20

RDN100N20

기술: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
SPP20N60S5HKSA1

SPP20N60S5HKSA1

기술: HIGH POWER_LEGACY

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

기술: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품

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