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4816279RDR005N25TL 이미지LAPIS Semiconductor

RDR005N25TL

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  • 제품 모델
    RDR005N25TL
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RDR005N25TL.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSMT3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    540mW (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SC-96
  • 다른 이름들
    RDR005N25TLCT
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    70pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    3.5nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    250V
  • 상세 설명
    N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    500mA (Ta)

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RDRW1900512BK1

RDRW1900512BK1

기술: DRAWER 12.1X17.4X5.3" BLACK

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RDRW1900316BK1

RDRW1900316BK1

기술: DRAWER 16.1X17.4X3.5" BLACK

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RDRW1900316LG1

RDRW1900316LG1

기술: DRAWER 16.1X17.4X3.5" GRAY

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RDRW1900322CG1

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RDRW1900712CG1

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기술: DRAWER 12.1X17.4X7" BE/GY

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기술: DRAWER 12.1X17.4X7" BLACK

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RDRW1900516BK1

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기술: DRAWER 16.1X17.4X5.3" BLACK

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