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RF071LAM4STR

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  • 제품 모델
    RF071LAM4STR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RF071LAM4STR.pdf
    2.RF071LAM4STR.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.25V @ 700mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    PMDTM
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    25ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOD-128
  • 다른 이름들
    RF071LAM4STRCT
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount PMDTM
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -

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기술: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071M2STR

RF071M2STR

기술: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

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RF08L6STE25

RF08L6STE25

기술: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

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RF064PJ821CS

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기술: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

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