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2613404RFN30TS6SGC11 이미지LAPIS Semiconductor

RFN30TS6SGC11

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1000+
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규격
  • 제품 모델
    RFN30TS6SGC11
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RFN30TS6SGC11.pdf
    2.RFN30TS6SGC11.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.55V @ 30A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    60ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    30A
  • VR, F @ 용량
    -

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제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

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RFN3B6STL

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기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE

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RFQ
RFN3BM6SFHTL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
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RFN20TJ6SGC9

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5B3STL

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기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

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RFN30TS6DGC11

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기술: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

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RFN5B2STL

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기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

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RFN2L6STE25

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

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RFN5B6STL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN20NS6SFHTL

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기술: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

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RFN2L4STE25

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

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RFN20TF6SFH

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

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RFN3BM2SFHTL

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

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