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1890376RFV15TG6SGC9 이미지LAPIS Semiconductor

RFV15TG6SGC9

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  • 제품 모델
    RFV15TG6SGC9
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RFV15TG6SGC9.pdf
    2.RFV15TG6SGC9.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    2.8V @ 15A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220ACFP
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    50ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-220ACFP
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    15A
  • VR, F @ 용량
    -

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RFV8TJ6SGC9

RFV8TJ6SGC9

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFVC-2031

RFVC-2031

기술: IC MMIC VCO BUFFERED AMP

제조업체: RFMD
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RFVC-4040

RFVC-4040

기술: IC MMIC VCO BUFFERED AMP

제조업체: RFMD
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RFV12TG6SGC9

RFV12TG6SGC9

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC

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RFVC-2041

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기술: IC MMIC VCO BUFFERED AMP

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RFVC-4026

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RFVC-4125

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RFVC-2036

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RFV8TG6SGC9

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RFVC-4055

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RFVC-4009

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RFVC-2028

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