RQ1C075UNTR

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제품 모델

RQ1C075UNTR
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.RQ1C075UNTR.pdf
2.RQ1C075UNTR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 1mA
Vgs (최대)

±10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TSMT8
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

700mW (Ta)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead
다른 이름들

RQ1C075UNCT
RQ1C075UNTRCT
RQ1C075UNTRCT-ND
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

N-Channel 20V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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기술: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation

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기술: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics

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기술: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

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기술: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

제조업체: LAPIS Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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기술: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 600V 37A TO247

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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제조업체: EPC

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기술: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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SI5855CDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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DMT6015LFV-7

기술: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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RQ1E070RPTR

기술: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor

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제조업체: STMicroelectronics

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기술: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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AUIRFS4310TRL

기술: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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RFQ

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