Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > RQ3E070BNTB
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6554860

RQ3E070BNTB

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.62
10+
$0.436
100+
$0.287
500+
$0.169
1000+
$0.13
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RQ3E070BNTB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-HSMT (3.2x3)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    27 mOhm @ 7A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    RQ3E070BNTBCT
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    40 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    410pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    8.9nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7A (Ta)
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

기술: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

기술: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

기술: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

기술: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

기술: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

기술: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

기술: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

기술: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오