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5398751RRE02VTM4SFHTR 이미지LAPIS Semiconductor

RRE02VTM4SFHTR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RRE02VTM4SFHTR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 200mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    TUMD2SM
  • 속도
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    2-SMD, Flat Lead
  • 다른 이름들
    RRE02VTM4SFHDKR
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    200mA
  • VR, F @ 용량
    -
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

기술: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

기술: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VSM4STR

RRE02VSM4STR

기술: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

기술: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
C3D03060E-TR

C3D03060E-TR

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 11.5A TO252

제조업체: Cree Wolfspeed
유품
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

기술: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

기술: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

기술: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
ES3G V6G

ES3G V6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
R6201830XXOO

R6201830XXOO

기술: DIODE GP 1.8KV 300A DO200AA R62

제조업체: Powerex, Inc.
유품
1N4004RLG

1N4004RLG

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
VS-MBR1645PBF

VS-MBR1645PBF

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
50WQ06FNTRL

50WQ06FNTRL

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
VS-25ETS10STRR-M3

VS-25ETS10STRR-M3

기술: DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

기술: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
1N646-1

1N646-1

기술: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

제조업체: Microsemi
유품

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