RT1A050ZPTR

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제품 모델

RT1A050ZPTR
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.RT1A050ZPTR.pdf
2.RT1A050ZPTR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 1mA
Vgs (최대)

±10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-TSST
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

26 mOhm @ 5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

600mW (Ta)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead
다른 이름들

RT1A050ZPCT
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2800pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

12V
상세 설명

P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

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