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3992878RU1E002SPTCL 이미지LAPIS Semiconductor

RU1E002SPTCL

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RU1E002SPTCL
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RU1E002SPTCL.pdf
    2.RU1E002SPTCL.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    UMT3F
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    200mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-85
  • 다른 이름들
    RU1E002SPTCLTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    30pF @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    250mA (Ta)

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RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

기술: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

기술: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

기술: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

기술: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

기술: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

기술: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

기술: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

기술: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

기술: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

기술: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

기술: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

기술: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

기술: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

기술: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

기술: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

기술: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

기술: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

기술: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

기술: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

기술: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

제조업체: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
유품
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