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RUS100N02TB

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  • 제품 모델
    RUS100N02TB
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RUS100N02TB.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±10V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12 mOhm @ 10A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    2W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    RUS100N02TBTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2250pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    24nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Ta)

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기술: POT 175 OHM 1000W WIREWOUND LIN

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RUS100

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기술: POT 100 OHM 1000W WIREWOUND LIN

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RUS10R

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기술: POT 10 OHM 1000W WIREWOUND LIN

제조업체: Ohmite
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RUS1R5

RUS1R5

기술: POT 1.5 OHM 1000W WIREWOUND LIN

제조업체: Ohmite
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RUS1R0E

기술: POT 1 OHM 1000W WIREWOUND LINEAR

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기술: POT 1.5K OHM 1000W WIREWOUND LIN

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