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SP8K33FRATB

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  • 제품 모델
    SP8K33FRATB
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SP8K33FRATB.pdf
    2.SP8K33FRATB.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    48 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 - 최대
    2W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SP8K33FRATBTR
  • 작동 온도
    150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    620pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Standard
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5A (Ta)

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SP8K32FRATB

SP8K32FRATB

기술: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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SP8K24FU6TB

기술: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC

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SP8K52FRATB

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기술: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

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SP8K31FRATB

SP8K31FRATB

기술: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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SP8K1TB

SP8K1TB

기술: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

제조업체: LAPIS Semiconductor
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SP8M21FRATB

SP8M21FRATB

기술: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

제조업체: LAPIS Semiconductor
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SP8K5TB

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

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SP8K3FU6TB

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC

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SP8K2FU6TB

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

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SP8K2TB

SP8K2TB

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

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SP8K3TB

SP8K3TB

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

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SP8K24FRATB

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기술: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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기술: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

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SP8K22FRATB

SP8K22FRATB

기술: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

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SP8K4TB

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

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SP8K31TB1

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기술: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

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SP8M10FU6TB

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