Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > UT6JA2TCR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5140757UT6JA2TCR 이미지LAPIS Semiconductor

UT6JA2TCR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.302
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    UT6JA2TCR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • 제조업체 장치 패키지
    HUML2020L8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    70 mOhm @ 4A, 10V
  • 전력 - 최대
    2W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-PowerUDFN
  • 다른 이름들
    UT6JA2TCRTR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    305pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    6.7nC @ 10V
  • FET 유형
    2 P-Channel (Dual)
  • FET 특징
    -
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount HUML2020L8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4A
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

기술: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

제조업체: Microsemi
유품
UT6-7-30-F1

UT6-7-30-F1

기술: THERMOELECT

제조업체: Laird Technologies - Thermal Products
유품
AO4932

AO4932

기술: MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
FDPC8014AS

FDPC8014AS

기술: MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
NTUD3174NZT5G

NTUD3174NZT5G

기술: MOSFET 2 N-CH 20V 220MA SOT963

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
IRL6372PBF

IRL6372PBF

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
UT6J3TCR

UT6J3TCR

기술: -20V PCH+PCH POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

기술: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

기술: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
UT6MA3TCR

UT6MA3TCR

기술: 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
GWM220-004P3-SMD SAM

GWM220-004P3-SMD SAM

기술: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

제조업체: IXYS Corporation
유품
UT6-12-40-F1

UT6-12-40-F1

기술: THERMOELECT

제조업체: Laird Technologies - Thermal Products
유품
DMC3400SDW-13

DMC3400SDW-13

기술: MOSFET N/P-CH 30V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IRF7342PBF

IRF7342PBF

기술: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
AO4600CL

AO4600CL

기술: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
FDC6305N

FDC6305N

기술: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
UT6-12-40-F2

UT6-12-40-F2

기술: THERMOELECT

제조업체: Laird Technologies - Thermal Products
유품
FDMJ1028N

FDMJ1028N

기술: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
UT6K3TCR

UT6K3TCR

기술: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
EPC2105

EPC2105

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오