VT6M1T2CR

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제품 모델

VT6M1T2CR
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.VT6M1T2CR.pdf
2.VT6M1T2CR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 100µA
제조업체 장치 패키지

VMT6
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
전력 - 최대

120mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads
다른 이름들

VT6M1T2CRTR
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

17 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.1pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

-
FET 유형

N and P-Channel
FET 특징

Logic Level Gate, 1.2V Drive
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

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기술: DIODE SCHOTTKY 45V TO220

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