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BQ4013YMA-120

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규격
  • 제품 모델
    BQ4013YMA-120
  • 제조업체 / 브랜드
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    120ns
  • 전압 - 공급
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    32-DIP Module (18.42x42.8)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • 다른 이름들
    296-32844-5
    BQ4013YMA-120-ND
    BQ4013YMA120
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
  • 기본 부품 번호
    BQ4013
  • 액세스 시간
    120ns

Unleashing High-Performance DSP: A Deep Dive into TI TMS320...

2024년11월15일

Texas Instruments: An all-round player from analog to embedded

2024년11월14일
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BQ4014MB-85

BQ4014MB-85

기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011MA-200

BQ4011MA-200

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013YMA-85N

BQ4013YMA-85N

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013YMA-70N

BQ4013YMA-70N

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4015LYMA-70N

BQ4015LYMA-70N

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013YMA-70

BQ4013YMA-70

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011MA-150

BQ4011MA-150

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013YMA-85

BQ4013YMA-85

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-70

BQ4011YMA-70

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4014MB-120

BQ4014MB-120

기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4015MA-70

BQ4015MA-70

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-150N

BQ4011YMA-150N

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-70N

BQ4011YMA-70N

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013MA-120

BQ4013MA-120

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4014YMB-120

BQ4014YMB-120

기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-150

BQ4011YMA-150

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4014YMB-85

BQ4014YMB-85

기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4013MA-85

BQ4013MA-85

기술: IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-200

BQ4011YMA-200

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
BQ4011YMA-100

BQ4011YMA-100

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
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