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DS1225AB-200IND+

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  • 제품 모델
    DS1225AB-200IND+
  • 제조업체 / 브랜드
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DS1225AB-200IND+.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    200ns
  • 전압 - 공급
    4.75 V ~ 5.25 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    28-EDIP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
  • 기본 부품 번호
    DS1225A
  • 액세스 시간
    200ns

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제조업체: Maxim Integrated
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DS1225AB-150+

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DS1225AD-150IND+

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DS1225AB-150IND

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DS1225AB-70IND+

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DS1225AB-150

DS1225AB-150

기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1225AB-70

DS1225AB-70

기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

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DS1225AB-200

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기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

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DS1225AB-170+

DS1225AB-170+

기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1225AD-150+

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DS1222S+

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기술: IC BANKSWITCH CMOS 16-SOIC

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DS1225AB-200IND

DS1225AB-200IND

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