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1859536DS1230AB-100 이미지Maxim Integrated

DS1230AB-100

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  • 제품 모델
    DS1230AB-100
  • 제조업체 / 브랜드
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    DS1230AB-100.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    100ns
  • 전압 - 공급
    4.75 V ~ 5.25 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    28-EDIP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 다른 이름들
    DS1230AB100
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-EDIP
  • 기본 부품 번호
    DS1230AB
  • 액세스 시간
    100ns

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DS1230AB-120IND

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DS1225AD-70IND+

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DS1225Y-150IND+

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기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-150+

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기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1230AB-200+

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기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1225Y-200IND+

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기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1225AD-70+

DS1225AD-70+

기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

기술: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS1230AB-200IND

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기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-100+

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기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1230AB-150

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기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1225AD-85

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DS1225AD-70IND

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DS1230AB-120

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DS1225Y-150+

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