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DS1250ABP-70IND

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  • 제품 모델
    DS1250ABP-70IND
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    4.75 V ~ 5.25 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    34-PowerCap Module
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    34-PowerCap™ Module
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 70ns 34-PowerCap Module
  • 기본 부품 번호
    DS1250AB
  • 액세스 시간
    70ns
DS1250ABP-100+

DS1250ABP-100+

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS1250ABP-70IND+

DS1250ABP-70IND+

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS1250ABP-70+

DS1250ABP-70+

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS1250W-100

DS1250W-100

기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS1250BL-70-IND

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS1250W-100IND+

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250W-100IND

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250ABP-100

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250W-150

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250AB-70IND

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250AB-100IND

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250AB-70+

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250ABP-70

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250AB-100IND+

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250W-100+

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1250BL-100

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기술: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

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DS1250W-150+

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DS1250AB-70IND+

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DS1250AB-70

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DS1250BL-70

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