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DS1258Y-70IND#

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  • 제품 모델
    DS1258Y-70IND#
  • 제조업체 / 브랜드
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DS1258Y-70IND#.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    40-EDIP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 70ns 40-EDIP
  • 기본 부품 번호
    DS1258Y
  • 액세스 시간
    70ns

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258W-100

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258W-150#

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1259

DS1259

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제조업체: Maxim Integrated
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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS1258W-100#

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS1259+

DS1259+

기술: IC BATTERY MANAGER 16-DIP

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
DS1259S+

DS1259S+

기술: IC BATTERY MANAGER 16-SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
DS1259S/T&R

DS1259S/T&R

기술: IC BATTERY MANAGER IND 16-SOIC

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258Y-70

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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RFQ
DS1259SN+

DS1259SN+

기술: IC BATTERY MANAGER IND 16-SOIC

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258W-100IND#

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1259S

DS1259S

기술: IC BATTERY MANAGER 16-SOIC

제조업체: Maxim Integrated
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DS1259SN+T&R

DS1259SN+T&R

기술: IC BATTERY MANAGER IND 16-SOIC

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258Y-100

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
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DS1258Y-70#

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

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DS1258W-150

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기술: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

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