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DS2030AB-100#

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규격
  • 제품 모델
    DS2030AB-100#
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    100ns
  • 전압 - 공급
    4.75 V ~ 5.25 V
  • 과학 기술
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 제조업체 장치 패키지
    256-BGA (27x27)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    256-BGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    5 (48 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    NVSRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27)
  • 기본 부품 번호
    DS2030
  • 액세스 시간
    100ns
MCT06030C5110FPW00

MCT06030C5110FPW00

기술: RES 511 OHM 1% 1/8W 0603

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

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