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DS28E11P+T

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유품
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  • 제품 모델
    DS28E11P+T
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 연속
    *
  • 수분 민감도 (MSL)
    Vendor Undefined
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Memory IC
DS28E15Q+U

DS28E15Q+U

기술: IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E07P+T

DS28E07P+T

기술: IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E07+W

DS28E07+W

기술: IC EEPROM 1K 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E07Q+U

DS28E07Q+U

기술: IC EEPROM 1K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E17K#

DS28E17K#

기술: EVAL KIT FOR DS28E17

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E11P+

DS28E11P+

기술: 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E07P+

DS28E07P+

기술: IC EEPROM 1KBIT 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15P+T

DS28E15P+T

기술: IC EEPROM 512 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E17Q+

DS28E17Q+

기술: IC BRIDGE 1-WIRE TO I2C 16TQFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15G+U

DS28E15G+U

기술: IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E10R+T

DS28E10R+T

기술: IC EPROM 224 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15X+UW

DS28E15X+UW

기술: IC EEPROM 512 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E10P+

DS28E10P+

기술: IC EPROM 224 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15P+

DS28E15P+

기술: IC EEPROM 512BIT 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E10P-W22+2TW

DS28E10P-W22+2TW

기술: IC EPROM 224 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15EVKIT#

DS28E15EVKIT#

기술: EVAL KIT FOR DS28E15

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15G+T

DS28E15G+T

기술: IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E15Q+T

DS28E15Q+T

기술: IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E07Q+T

DS28E07Q+T

기술: IC EEPROM 1K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
DS28E10P+T

DS28E10P+T

기술: IC EPROM 224 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
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