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DS28E38Q+T

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250+
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규격
  • 제품 모델
    DS28E38Q+T
  • 제조업체 / 브랜드
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.DS28E38Q+T.pdf
    2.DS28E38Q+T.pdf
    3.DS28E38Q+T.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.97 V ~ 3.63 V
  • 과학 기술
    EEPROM
  • 제조업체 장치 패키지
    6-TDFN-EP (3x3)
  • 연속
    DeepCover®
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    6-WFDFN Exposed Pad
  • 다른 이름들
    DS28E38Q+TCT
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    2Kb (2K x 1)
  • 메모리 인터페이스
    1-Wire®
  • 메모리 형식
    EEPROM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    EEPROM Memory IC 2Kb (2K x 1) 1-Wire® 6-TDFN-EP (3x3)

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기술: RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
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기술: RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E25G+T

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기술: IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E83Q+U

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기술: IC AUTHENTICATION CHIP 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
RFQ
DS28E25P+

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기술: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS28E81+

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기술: RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E83EVKIT#

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기술: EVAL AUTHENTICATRO RAD-RES

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS28E80Q+U

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기술: IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS28E25P+T

DS28E25P+T

기술: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS28E36EVKIT#

DS28E36EVKIT#

기술: EVAL KIT

제조업체: Maxim Integrated
유품
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DS28E25Q+U

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기술: IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E80EVKIT#

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기술: EVAL KIT FOR DS28E80

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E38EVKIT#

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기술: EVKIT AUTHEN CHIPDNA PUF DS28E38

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DS28E36Q+U

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기술: IC EEPROM 8K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E81P+T

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기술: RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
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DS28E25G+U

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기술: IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN

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기술: IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

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