Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > DN1509K1-G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4244179DN1509K1-G 이미지Micrel / Microchip Technology

DN1509K1-G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.447
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DN1509K1-G
  • 제조업체 / 브랜드
    Micrel / Microchip Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DN1509K1-G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-5
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    6 Ohm @ 200mA, 0V
  • 전력 소비 (최대)
    490mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-74A, SOT-753
  • 다른 이름들
    DN1509K1-G-ND
    DN1509K1-GTR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    5 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    150pF @ 25V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Depletion Mode
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    0V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    90V
  • 상세 설명
    N-Channel 90V 200mA (Tj) 490mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    200mA (Tj)

Microchip Introduces Quantum-Resistant 64-Bit RISC-V Proces...

2024년10월24일
배송
지불
다음은 "DN1509K1-G"관련 제품입니다.
DN10-50S(50)

DN10-50S(50)

기술: CONN D-TYPE RCPT 50POS R/A SLDR

제조업체: Hirose
유품
RFQ
DN1102W-TR

DN1102W-TR

기술: LED LAMP

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
DN1102W-3-TR

DN1102W-3-TR

기술: LED LAMP

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
SQ4182EY-T1_GE3

SQ4182EY-T1_GE3

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

기술: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
DN1102W-6-TR

DN1102W-6-TR

기술: LED LAMP

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
IRFS4610TRRPBF

IRFS4610TRRPBF

기술: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SQP120P06-6M7L_GE3

SQP120P06-6M7L_GE3

기술: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

기술: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
STW55NM50N

STW55NM50N

기술: MOSFET N-CH 500V 54A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
SSM3K7002KFU,LF

SSM3K7002KFU,LF

기술: LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

기술: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
DN1102W-8-TR

DN1102W-8-TR

기술: LED LAMP

제조업체: Stanley Electric
유품
RFQ
2SK3541T2L

2SK3541T2L

기술: MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
DMP32D5LFA-7B

DMP32D5LFA-7B

기술: MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
2SK2962,F(J

2SK2962,F(J

기술: MOSFET N-CH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
STE40NK90ZD

STE40NK90ZD

기술: MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
DN1509N8-G

DN1509N8-G

기술: MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

기술: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.