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ECF840AAACN-C1-Y3

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  • 제품 모델
    ECF840AAACN-C1-Y3
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 연속
    -
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel

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기술: CAP END PWR LD/LDP/CD3 IVORY

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ECF620AAACN-C2-Y3-ES

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기술: LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology
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ECF620AAACN-C1-Y3-ES

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기술: LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology
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ECF440AACCN-Y3

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기술: LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology
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ECF440AACCN-V6-Y3

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기술: LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology
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ECFX10EI-X

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기술: CAP END PWR LD/LDP/CD10 IVORY

제조업체: Panduit
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL

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ECF620AAACN-C1-Y3

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기술: CAP END PWR LD/LDP/CD10 WHITE

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기술: END CAP LD/LDP/CD5 LT GRAY

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