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  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    134-VFBGA (10x11.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    134-VFBGA
  • 다른 이름들
    EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB5432BEBH-1DAUT-F-RTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • 클럭 주파수
    533MHz

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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