EDF8132A3MA-JD-F-R TR

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제품 모델

EDF8132A3MA-JD-F-R TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.14 V ~ 1.95 V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR3
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

EDF8132A3MA-JD-F-R
EDF8132A3MA-JD-F-R TR-ND
EDF8132A3MA-JD-F-RTR
작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 933MHz
클럭 주파수

933MHz

다음은 "EDF8132A3MA-JD-F-R TR"관련 제품입니다.

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: RECTIFIER BRIDGE 1A 200V 4-DIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

EDF8132A3MA-GD-F-R TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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EDF8132A3PB-GD-F-R TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: DIODE GPP 1A 200V 50NS 4SMD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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EDF1DS-E3/45

기술: DIODE GPP 1A 200V 50NS 4SMD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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EDF8132A3PB-JD-F-D

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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EDF8132A3PF-GD-F-R TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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EDF1DS/45

기술: RECTIFIER BRIDGE 1A 200V 4SMD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

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