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EDF8164A3MA-JD-F-R TR

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    EDF8164A3MA-JD-F-R TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    EDF8164A3MA-JD-F-R
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR-ND
    EDF8164A3MA-JD-F-RTR
  • 작동 온도
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
  • 클럭 주파수
    933MHz

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