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JS28F512M29EBHB TR

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  • 제품 모델
    JS28F512M29EBHB TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    110ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    JS28F512M29EBHB TR-ND
    JS28F512M29EBHBTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
  • 액세스 시간
    110ns

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JS28F320J3F75A

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F320J3D75B TR

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F320J3F75E

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F512P30EF0

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F512M29EWLA

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F320J3D75E

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F320J3F75F

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F320J3D75D TR

JS28F320J3D75D TR

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F512M29EWLD

JS28F512M29EWLD

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

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JS28F512M29AWHB TR

JS28F512M29AWHB TR

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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JS28F512M29EWL0

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JS28F512P30BFA

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제조업체: Micron Technology
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JS28F512M29EWH0

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JS28F512M29EWLB TR

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JS28F512M29EWHA

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