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M29DW256G7ANF6E

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규격
  • 제품 모델
    M29DW256G7ANF6E
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    M29DW256G7ANF6E.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    56-TSOP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 70ns 56-TSOP
  • 기본 부품 번호
    M29DW256
  • 액세스 시간
    70ns

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M29DW256G7ANF6F TR

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
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M29DW323DB70N6E

M29DW323DB70N6E

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29DW323DB70ZE6F TR

M29DW323DB70ZE6F TR

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29DW127G70ZA6F TR

M29DW127G70ZA6F TR

기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29DW256G70ZA6E

M29DW256G70ZA6E

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29DW323DB90N6

M29DW323DB90N6

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
M29DW128F60ZA6E

M29DW128F60ZA6E

기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
M29DW323DB7AN6F TR

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
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M29DW323DB70N3E

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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M29DW256G70NF6E

M29DW256G70NF6E

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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RFQ
M29DW323DB70ZE6E

M29DW323DB70ZE6E

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

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