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M29F400FT55N3F2 TR

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  • 제품 모델
    M29F400FT55N3F2 TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    M29F400FT55N3F2 TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    55ns
  • 전압 - 공급
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    44-SO
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
  • 다른 이름들
    M29F400FT55N3F2 TR-ND
    M29F400FT55N3F2TR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (512K x 8, 256K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Parallel 55ns 44-SO
  • 기본 부품 번호
    M29F400
  • 액세스 시간
    55ns

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M29F400FB5AM6T2

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제조업체: Micron Technology
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M29F800AB70M1

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기술: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
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M29F400FB5AM62

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29F400FB5AM6T2 TR

M29F400FB5AM6T2 TR

기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
M29F400FT55N3E2

M29F400FT55N3E2

기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
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M29F800DB70M6E

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기술: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
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M29F400FT5AN6E2

M29F400FT5AN6E2

기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
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M29F400FB5AM6F2 TR

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

제조업체: Micron Technology
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M29F400FT55M3E2

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

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M29F800DB55N6E

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기술: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

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M29F400FT5AM6T2 TR

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

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M29F400FT55M3T2 TR

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

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M29F400FB5AN6E2

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기술: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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