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M29W128GL7AZS6E

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  • 제품 모델
    M29W128GL7AZS6E
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    M29W128GL7AZS6E.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    64-FBGA (11x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    64-LBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (16M x 8, 8M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Parallel 70ns 64-FBGA (11x13)
  • 기본 부품 번호
    M29W128
  • 액세스 시간
    70ns

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제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128MBIT 70NS 64TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
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M29W128GSH70N6E

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
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M29W128GL70ZA6DE

M29W128GL70ZA6DE

기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

제조업체: Micron Technology
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M29W128GL70ZS6E

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology
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M29W128GL70ZS6F TR

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology
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M29W128GSH70ZS6E

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

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