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M58WR064KB7AZB6F TR

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  • 제품 모델
    M58WR064KB7AZB6F TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    M58WR064KB7AZB6F TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    70ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 2 V
  • 과학 기술
    FLASH - NOR
  • 제조업체 장치 패키지
    56-VFBGA (7.7x9)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    56-VFBGA
  • 다른 이름들
    M58WR064KB7AZB6F TR-ND
    M58WR064KB7AZB6FTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 66MHz 70ns 56-VFBGA (7.7x9)
  • 클럭 주파수
    66MHz
  • 기본 부품 번호
    M58WR064
  • 액세스 시간
    70ns

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제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 88VFBGA

제조업체: Micron Technology
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M58WR032KU70D16 TR

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 66MHZ

제조업체: Micron Technology
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M58WR032KB7AZB6F TR

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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

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제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology
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