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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT

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  • 제품 모델
    MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT-ND
    MT29C4G48MAAGBBAKS-48WT
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH, RAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) Parallel 208MHz
  • 클럭 주파수
    208MHz

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MT29C2G48MAKLCJI-6 IT

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기술: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR

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기술: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT

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기술: IC FLASH RAM 2G PARAL 153VFBGA

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MT29C3DBAN-DC TR

MT29C3DBAN-DC TR

기술: MASSFLASH/LPDDR2 12G

제조업체: Micron Technology
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MT29C3DAMF-DC TR

MT29C3DAMF-DC TR

기술: MASSFLASH/LPDDR2 8G

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MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

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기술: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR

MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR

기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT

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기술: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

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MT29C2G24MAABAKAML-5 IT

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