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MT29C4G96MAYBACJG-5 WT

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  • 제품 모델
    MT29C4G96MAYBACJG-5 WT
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT29C4G96MAYBACJG-5 WT.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    168-VFBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    168-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT29C4G96MAYBACJG-5 WT-ND
    MT29C4G96MAYBACJG-5WT
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH, RAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 168-VFBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    MT29C4G96M

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MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT

기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

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MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

기술: IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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MT29C4G96MAZBACJG-5 IT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT

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기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

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MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR

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