MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

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규격

제품 모델

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.5 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR-ND
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:BTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

1.5Tb (192G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 1.5Tb (192G x 8) Parallel

다음은 "MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR"관련 제품입니다.

MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR

기술: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E128G08CECABJ1-10Z:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

기술: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29E128G08CECDBJ4-6:D

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR

기술: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

기술: IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH RAM 8G PARALLEL 208MHZ

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기술: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

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기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

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MT29E1HT08ELHBBG1-3:B

기술: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

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