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MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

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  • 제품 모델
    MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.5 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    384Gb (48G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 384Gb (48G x 8) Parallel 333MHz
  • 클럭 주파수
    333MHz

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기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

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기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

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기술: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

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MT29E4T08CTHBBM5-3:B

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